台积电拟进军先进内存芯片制造，应英伟达要求布局3D DRAM

据The Information报道，台积电（TSMC）正在考虑扩展至先进内存芯片制造领域，计划生产3D DRAM芯片，以满足其最大客户英伟达的需求。3D DRAM通过垂直堆叠内存单元，提升存储容量，与传统单层DRAM不同。目前，内存芯片市场由三星电子、SK海力士和美光科技主导，这三家公司也在开发3D DRAM技术。AI硬件需求激增导致内存芯片短缺和价格上涨，促使英伟达和苹果等芯片设计公司寻求更多供应来源。今年早些时候，苹果因内存成本上升提高了设备售价。